收藏本站
IXFC 96N15P
100
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
200
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
90
V GS = 10V
9V
175
V GS = 10V
80
70
60
150
125
9V
50
8V
100
40
30
20
10
0
7V
6V
75
50
25
0
8V
7V
6V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
100
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150 o C
2.8
V D S - Volts
I D 48
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 = I D25 A
Value vs. Junction Tem perature
90
80
70
V GS = 10V
9V
2.6
2.4
2.2
V GS = 10V
60
50
40
30
20
10
8V
7V
6V
5V
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
I D = 96A
I D = 48A
0
0.6
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
3.8
3.4
3
2.6
2.2
48 A
I D = 0.5 I D25 Value vs. I D
T J = 175oC
V GS = 10V
80 45
70 40
60 35
30
50
25
40
Tem perature
External Lead Current
Limit
20
1.8
30
1.4
1
0.6
V GS = 15V
T J = 25oC
15
20
10
10 5
0 0
-50 -50 -25
0 0 25 25
50
75
100 125 150
T T C C - - Degrees Centigrade
175
0
50
100 150
I D - Amperes
200
250
-25
50 75 100 125 150
Degrees Centigrade
175
? 2006 IXYS All rights reserved
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFE180N10 MOSFET N-CH 100V 176A ISOPLUS227
IXFE180N20 MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227
IXFE23N100 MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
IXFE39N90 MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227
IXFE44N50QD3 MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
IXFE44N50Q MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
IXFE44N60 MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B
IXFE55N50 MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
相关代理商/技术参数
IXFE180N10 功能描述:MOSFET 176 Amps 1000V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFE180N20 功能描述:MOSFET 180 Amps 200V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFE23N100 功能描述:MOSFET 21 Amps 1000V 0.43 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFE24N100 功能描述:MOSFET 22 Amps 1000V 0.39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFE34N100 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V 0.28 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFE36N100 功能描述:MOSFET 33 Amps 1000V 0.24 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFE39N90 功能描述:MOSFET 34 Amps 900V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFE44N50Q 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube